第93章 最误打误撞的一集

也是硅谷那边提出来的概念技术。

我们已经完成了离子注入所有涉及到的植入分布的数据预测，包括了离子与晶格的碰撞、核阻止和电子阻止带来的能量损失、缺陷形成和扩散等。”

“不可能！”魏斯忍不住了。

也就是因为黄昆确实是晶格动力学领域的奠基人之一，不然他得说你在骗我们了。

黄昆这时候显示出了强大的自信：“当然。

你们应该很清楚华国在工业基础上的薄弱，和东德之间的差距吧。

我们只能用简易的CZ法去拉单晶硅都能做到5N，这可是建立在取法高精度的坩埚材料和提纯设备基础上。

东德的工业基础比我们要好得多，也只能做到4N。

我们目前围绕7N的技术路线已经非常清晰，只是受限于材料和设备的短缺，导致我们无法朝着这个目标前进。”

“我们的实验室产能已经能够做到6N了，如果我们能够达成合作，我们有把握在一年以内把量产的产能做到7N。”

量产7N什么概念。

苏俄也没这技术。

东德现在还在4N朝着5N爬行呢。

华国方面不太清楚，但东德他们有所了解。

魏斯看了眼穆勒，穆勒知道这时候该自己发言了：“黄博士，能详细给我们介绍一下你们的技术路线吗？”

黄昆起身站到早就准备好的黑板前：

“不知道你们听过离子注入技术吗？”

穆勒和魏斯回答道：“知道。”

黄昆接着说：“那就好，这一技术是半导体制造中用于在纯硅晶圆上引入掺杂剂的关键工艺，主要用于改变硅的电学性能。

德州仪器首批商用逻辑芯片，用的也就是6N到7N之间。

房间里口水吞咽的声音显得格外清晰。

相当于直接就赶超了硅谷当前最新水平。

“黄博士，您说的是真的吗？”魏斯的声音有些干涩。

穆勒放在桌下的手都已经捏紧了。